Substrats Power-SOI
Favoriser des applications automobiles et industrielles robustes, économes en énergie et hautement intégrées, dotées d'une intelligence avancée et répondant aux exigences élevées de la FuSa.
Faites de votre projet une réussite
Accélérer le développement des applications de puissance intelligentes pour l’automobile et l’industrie
Le Power-SOI de Soitec stimule l'innovation dans les véhicules électriques et autonomes. Nos substrats techniques de pointe permettent le développement d'applications automobiles avancées, offrant une efficacité énergétique, des performances, une robustesse, une intégration et une durabilité supérieures, ainsi qu'une mise sur le marché plus rapide et une intelligence accrue. Ils répondent aux normes FuSa améliorées et aux exigences de l'architecture 48 V.
Caractéristiques et avantages du Power-SOI
Intégration haute et basse tension sur une même puce
Power-SOI avec DTI (Deep Trench Isolation) permet l’intégration des blocs haute et basse tension sur une seule puce, réduisant la surface du circuit.
Fonctionnement à haute température
Faible courant de fuite à haute température, améliorant la marge thermique et facilitant la certification AEC-Q100 Grade 0.
Robustesse élevée
L'excellente immunité au bruit, la structure sans verrouillage et les propriétés ESD/EMI/EMC améliorées du Power-SOI permettent des circuits intégrés de puissance hautes performances qui répondent à des exigences de robustesse strictes.
Simplification de la conception des circuits
Le Power-SOI simplifie la conception des dispositifs, réduisant le nombre de masques et éliminant les structures de puits complexes. Il améliore également les performances BV-Rsp grâce au double RESURF.
Haut rendement
La technologie Power-SOI permet aux appareils de fonctionner avec une plus grande efficacité en offrant une résistance de marche (RDSon) et une charge de récupération inverse (Qrr) plus faibles. Cet avantage est crucial pour les applications sensibles à l'énergie, en particulier dans l'automobile et les appareils mobiles, car il contribue à prolonger la durée de vie des batteries et à améliorer l'efficacité énergétique.
Évolutivité pour les futures générations technologiques
Power-SOI est hautement évolutif pour les futurs nœuds technologiques, ce qui lui permet de s'adapter à l'évolution des besoins de fabrication de semi-conducteurs. Cette évolutivité garantit la pertinence de Power-SOI pour les futures générations de circuits intégrés, permettant l'intégration de nouvelles fonctionnalités sans augmenter la taille ni la complexité des puces.
Applications des substrats Power-SOI
Les substrats Power-SOI de Soitec permettent une gestion intelligente de l'énergie dans les véhicules électriques (VE) et les systèmes avancés d'aide à la conduite (ADAS). Ils répondent à des normes de sécurité fonctionnelle élevées et prennent en charge les architectures basse tension 48 V pour un meilleur rendement. Leur robustesse et leur tolérance aux températures élevées en font un choix idéal pour les groupes motopropulseurs et les composants sous le capot.
Dans les applications industrielles, les substrats Power-SOI offrent durabilité, immunité au bruit et efficacité énergétique, simplifiant la conception des circuits intégrés de puissance grâce à l'intégration de composants haute et basse tension. Ils sont essentiels à un fonctionnement fiable dans des environnements difficiles, notamment pour les variateurs de vitesse, les onduleurs et les systèmes d'automatisation.
Les substrats Power-SOI améliorent l'efficacité énergétique et les performances des centres de données et des infrastructures réseau en prenant en charge des circuits d'alimentation performants et un traitement du signal à haut débit. Leur capacité à fonctionner dans des environnements à haute température garantit des performances fiables dans les systèmes informatiques et de télécommunications exigeants.
Points forts
Circuit intégré d'alimentation intelligent et efficace
Circuit intégré d'alimentation intelligent plus sûr
Circuit intégré d'alimentation intelligent plus performant
Capacité de gestion de tension accrue
Foire aux questions
- IVN (In-Vehicle Networking) : CAN, LIN, FlexRay, Ethernet PHY ICs
- PMIC (Power Management IC) / SBC (System Basis Chip)
- BMIC (Battery Monitoring IC) / BMS AFE (Battery Management System Analog Front End)
- Gate driver IC
- Smart actuator / Smart motor controller IC
- Industrial interface IC
- HiRel (High Reliability) ICs
- Intégration optimisée des circuits haute et basse tension sur une même puce, réduisant la surface du circuit.
- Robustesse et fiabilité accrues, répondant aux normes de sécurité fonctionnelle (FuSa).
- Simplification de la conception des circuits, facilitant l’optimisation des températures de fonctionnement.
- Accélération du développement des circuits intégrés, garantissant une réduction du temps de mise sur le marché.
- Réduction des pertes de conduction et de commutation, améliorant l’efficacité des circuits de puissance.
- Nouvelle architecture basse tension 48V : Power-SOI prend en charge des tensions de claquage élevées (jusqu’à 200V).
Exigences croissantes en sécurité fonctionnelle (FuSa) :
- Excellente immunité au bruit avec DTI & BOX
- Structure sans latch-up
- Réduction significative de la zone d’isolation
Réduction de la taille des boîtiers :
- Faible courant de fuite aux températures élevées
- Réduction de la taille des circuits
Power-SOI 200 mm
- Smart Power 1.5 : SmartCut™ SOI, EPI prêt, épaisseur SOI jusqu’à 1,5 µm, BOX jusqu’à 3,0 µm
- Smart Power 2.0 : SmartCut™ SOI + EPI (jusqu’à 10 µm), BOX jusqu’à 3,0 µm
- Smart Power 2.1 : SmartCut™ SOI + EPI (jusqu’à 10 µm), BOX de 3,1 µm à 3,9 µm
Power-SOI 300 mm
- Smart Power 3.0 : SmartCut™ SOI, EPI prêt, épaisseur SOI jusqu’à 0,2 µm, BOX jusqu’à 2 µm
- Smart Power 3.1 : SmartCut™ SOI + EPI (jusqu’à 7 µm), BOX jusqu’à 2 µm
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