Cette technologie brevetée permet de transférer des couches ultra-minces de wafers CMOS gravés ou partiellement gravés vers d’autres matériaux.
Ce transfert est réalisé par collage direct de la plaque à basse température et par amincissement mécanique-chimique.
Grâce à une expertise approfondie en transfert de couches, Soitec adapte ses solutions aux besoins des clients : la technologie Smart Stacking™ s'adapte en effet aux plaques de 150 mm à 300 mm de diamètre.
Elle est également compatible avec une grande diversité de substrats dont le silicium, le verre, la céramique (AIN polycristallin), la silice fondue, le saphir.
Utilisée pour transférer des couches minces de wafers vers d’autres substrats dans un environnement industriel haute performance, la technologie Smart Stacking™ repose sur les étapes suivantes :
Ce procédé s’appuie sur plus de 20 ans d’expérience et sur un solide portefeuille mondial de brevets.
Le substrat MEMS-SOI de Soitec offre une plus grande précision, de meilleures performances mécaniques et une plus faible consommation d'énergie que les technologies MEMS traditionnelles pour les capteurs de haute performance.
L'engagement de Soitec en faveur de la technologie et de l'innovation, où les solutions de semi-conducteurs de pointe sont à l'origine d'avancées dans de nombreux secteurs qui façonnent l'avenir.
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